您好▶️,歡迎訪問沐鸣
李艷麗
青年研究員 碩士生導師
電        話:
郵        箱🥐:
li_yanli@fudan.edu.cn
地        址☁️:
沐鸣娱乐張江校區微分析樓B205室
研  究  所👩🏿‍💼:
微納電子器件研究所

研究方向💁🏽:

集成電路先進光刻工藝及光刻相關設備、光刻材料、光刻相關算法軟件


教育背景👩🏿‍🎤:

2010年09月~2015年06月 沐鸣娱乐信息科學與工程沐鸣🪻,光學🏃🏻‍➡️🦺,博士

2006年09月~2010年06月 山東大學信息科學與工程沐鸣👭🏼,光信息科學與技術,本科


工作學術經歷🙋‍♂️:

2021年06月-至今 沐鸣,青年研究員

2018年11月-2021年05月 上海集成電路研發中心有限公司,新型器件和材料實驗室

2015年07月 -2018年11月 中芯國際集成電路製造(上海)有限公司🧝🏿,光刻研發部 


獲獎或榮譽:

2020年中國國際半導體技術大會(CSTIC 2020)最佳年輕工程師二等獎


代表性成果:

1.Yanli Li,Qiang Wu, and Shoumian Chen,“The Soft X-Ray Lithography Performance under Typical Single-digit nm Logic Design Rules, Including Stochastics and Defectivity”🏌🏼‍♀️,IEEE Xplore , 2020.

2.Yanli Li🫛,Qiang Wu, and Yuhang Zhao, “A Simulation Study for Typical Design Rule Patterns and Stochastic Printing Failures in a 5 nm Logic Process with EUV Lithography”🤽🏻‍♂️,IEEE Xplore , 2020.

3.Yanli Li,Qiang Wu, and Shoumian Chen,“A Simulation Study for Typical Design Rule Patterns in a 5 nm Logic Process with EUV Photolithography Process”,J. Microelectron. Manuf. 2019, 2(4):7.

4.Yanli Li*, Xiaona Zhu, Shaofeng Yu, and Qiang Wu*,“A Study of the Advantages to the Photolithography Process brought by the High NA EUV Exposure Tool in Advanced Logic Design Rules ”💆‍♀️,IEEE Xplore , 2021.

5.Qiang Wu*,Yanli Li*, Xiaona Zhu, and, Shaofeng Yu,“The Discussion of the Typical BEOL Design Rules from 3 nm to 2 nm Logic Process with EUV and High NA EUV Lithography”,IEEE Xplore , 2021. 

6.Qiang Wu*,Yanli Li*, Liwan Yue*, and, Zhibiao Mao🥘,“Process Model Guided Photoresist Formulation Optimization”🏃🏻‍➡️,IEEE Xplore , 2021.


沐鸣专业提供👩🏻‍🔧:沐鸣😺、沐鸣娱乐🤛🏽🌻、沐鸣登录等服务,提供最新官网平台、地址、注册、登陆、登录、入口、全站、网站、网页、网址、娱乐、手机版、app、下载、欧洲杯、欧冠、nba、世界杯、英超等,界面美观优质完美,安全稳定,服务一流✣✊,沐鸣欢迎您。 沐鸣官網xml地圖