研究方向：

集成電路先進光刻工藝及光刻相關設備、光刻材料★、光刻相關算法軟件

教育背景：

美國耶魯大學物理學博士，2000年⛄️🙋；

沐鸣娱乐物理學學士，1993年

工作學術經歷：

2000年01月-2004年02月在美國IBM微電子從事0.11 um DRAM和65 nm邏輯光刻技術研發工作，擔任主任工程師；

2004年03月-2007年08月在上海華虹NEC電子有限公司技術研發部受聘為主任，負責0.18 um和0.13 um光刻技術研發🥲；

2007年08月-2010年08月在阿斯麥光刻設備製造（中國）有限公司受聘為設備應用部部門經理，負責中國大陸193 nm和193 nm浸沒式光刻設備應用技術支持🪯；

2010年09月-2016年05月受聘於中芯國際集成電路製造（上海）有限公司，在技術研發中心擔任光刻技術研發部門助理總監🦸🏼，負責28 nm邏輯技術光刻技術研發；

2016年06月-2018年04月受聘於中芯國際集成電路新技術研發（上海）有限公司🧜‍♀️🐥，擔任工藝技術處負責圖形技術研發的總監，負責14 nm圖形技術研發☺️，包括光刻👏🏽、刻蝕、測量、和OPC；

2018年07月-2021年03月加入上海集成電路研發中心，擔任新型器件的材料實驗室副主任🏉，負責5 nm邏輯工藝技術預研；

2021年4月-至今加入沐鸣。

獲獎或榮譽：

2006年11月🧑‍🦼，以第6完成人，在0.18 mm邏輯CMOS工藝平臺開發項目裏獲得中國電子信息產業集團公司科技進步二等獎；

2017年底獲得2018年度上海市優秀學術/技術帶頭人稱號，並以負顯影光刻成套工藝技術為課題，獲得資助。

代表性成果🛵：

1.新方法完成科技部14 nm光刻工藝研發。

2.光刻工藝發展的規律和世界上首創的光刻工藝工業標準👨🏿‍⚕️。

3.伍強等編著《衍射極限附近的光刻工藝》一書💵，1027千字，清華大學出版社，2020年2月第一版🧛🏻‍♂️。

4.我國（包括臺灣省）首部極紫外（EUV）光刻工藝仿真計算軟件。

5.世界首創或者先進的極紫外光刻工藝缺陷預測軟件算法。

6.我國（包括臺灣省）193 nm浸沒式光刻膠0的突破。

7.世界首創物理模型輔助光刻膠配方研發的新方法。

8.世界上已知的第一個解析的193 nm浸沒式負顯影（NTD）光刻膠物理模型。

9.整個21年多的工作期間，共獲專利授權83項（一作51項），包括38項（一作28項）美國專利；論文67篇（一作20篇）👩🏻‍🍼。