微電子研究院江安全教授所領導的研究小組和中科院物理所👼😠、首爾大學、劍橋大學等教授合作🗳，基於BiFeO3薄膜👩‍🦲，證明了一種鐵電自發極化方向調製的p-n結電流，可運用於高密度信息的非揮發存儲。他們利用沐鸣娱乐鐵電測試平臺最新創立的漏電薄膜P-E電滯回線測量系統👨‍👨‍👦‍👦，充分證明了該p-n電流沿電疇方向具有單向導通特性👩‍🔧，p-n電流的大小和電疇反轉的體積份數呈正比，見圖1🕕；利用原子力顯微鏡的微區電學測量模式，他們還證明了該p-n結電流沿薄膜面積導電的均勻性，區別於電阻存儲器中(RRAM)漏電通道隨機產生和湮滅的機理，具有更高讀寫操作的可靠性👨🏽‍🎓🍄，見圖2。這種先進的存儲思想有望大幅提高現有商用鐵電電容存儲器（1T1C）的存儲密度，與非揮發閃存42nm存儲單元的尺寸相比擬，且具有更高擦寫速度（～納秒）和更低的擦寫電壓（～1V）。本次展示的BiFeO3樣品中較大的擦寫電壓和隨擦寫次數明顯增加的鐵電疲勞和漏電流等有望通過提高樣品的生長質量或離子摻雜工藝等得到克服。該存儲機理同樣適合於其他鐵電半導體材料。研究結果發表在Adv. Mater. 上( http://dx.doi.org/10.1002/adma.201004317)👨‍🦽‍➡️。