微電子領域國際頂級期刊《IEEE Electron Device Letters》最新一期發表了張衛教授課題組在半導體存儲器研究上的研究成果(Lin Chen, Hong-Yan Gou, Qing-Qing Sun, Peng Zhou, Hong-Liang Lu, Peng-Fei Wang, Shi-Jin Ding, and David Wei Zhang🚈，Enhancement of Resistive Switching Characteristics in Al2O3-Based RRAM With Embedded Ruthenium Nanocrystals， IEEE EDL Vol.32, no.6 p.794-796, 2011)。該論文報道的器件具有穩定的阻變性能、低操作電壓、與未來的銅互連工藝具有良好的材料兼容性和工藝兼容性🍺。

該項研究在原子層澱積的Al2O3介質中用PVD方法嵌入了Ru納米晶，所獲得的Al2O3 RRAM的高低阻值窗口有3個數量級的提升⛹🏽。由標準方差與均值的比值定義的相對振動系數🙎🏻‍♀️🧖🏻‍♂️，對於高阻值分布來說從75.7%降低到12.9%。這顯示了Ru納米晶的嵌入對提升器件的穩定性起到了明顯效果。